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半导体Bi2Te3晶片表面金属化及电镀锡铋合金

2012年

应用技术

初期阶段

成果简介

Bi2Te3化合物是20世纪50年代发现温差电优值最高的材料。在20℃温度下，Bi2Te3的禁带宽度是0.13eV，Bi2Te3是由Ⅴ、Ⅵ族元素构成的化合物。它的发现使温差电致冷的实际应用成为现实，起到了开创性的作用，而且它也是目前室温范围内性能最好的温差电材料。Bi2Te3组成的器件具有体积小、无噪音、寿命长、不会释放有害物质，对环境友好、反应灵敏，精度高、能在任意角度安装运行、无运动部...

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