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一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法

2012年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
常规区熔硅单晶生产过程中，由于电阻率相对较高，硅单晶中需要掺入的掺杂剂相对较少，通入炉体内的掺杂气流量和浓度较低。区熔重掺硅单晶的生产中，需要极低的电阻率，N型重掺单晶电阻率ρ最低为0.006Ωcm，P型重掺单晶电阻率ρ最低为0.0017Ωcm，远远低于常规10Ωcm。为了获得较低的电阻率，在区熔硅单晶的拉制过程中需要向区熔炉内通入高掺杂剂浓度、大流量掺杂气体，以使熔区获得高的掺杂剂浓度，...
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