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一种制备<110>区熔硅单晶的方法

2012年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
利用特殊晶向<110>硅材料可制备出光电转换效率更高、材料成本更低的太阳能电池，但这种特殊晶向硅材料的制备存在着较大的困难。众所周知，硅晶体中的位错是在{111}面上沿<110>方向进行滑移和攀移的，采用Dash缩细颈方法生长无位错单晶的关键正是利用上述位错的滑移和攀移，使得原始籽晶中的位错得以延伸达到晶体的侧面而不是生长界面，进而逐渐排出原始籽晶中的位错，获得无位错单晶的生长。对于通常<...
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