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深紫外LED用AlGaN材料生长研究

2012年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
紫外LED结构材料的研究是前瞻性课题研究，其生长方法和技术呈现了多样化和复杂化，通过深入研究其反应机理、结合测试表征方法，将使用Al源间隔、多层超晶格等新型生长方法，以获得高质量材料。同时尝试使用AlN衬底，也是一个很好的创新点。解决高质量紫外LED材料的外延技术和p型掺杂技术，获得高质量LED结构材料。全部完成了课题的任务和技术指标，并在关键技术方面取得了突破，部分指标超额完成任务。获得...
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