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基于换衬底技术的超高亮度LED制备技术

2011年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本项目属于半导体光电子技术领域，主要研究的换衬底超高亮度AlGaInP LED制备技术，是以廉价的、质量稳定的Si片作为衬底，将LED外延层粘接在其上并制成管芯的技术。
　　在研究过程中主要创新点：
　　（1）应变平衡多量子阱有源区：采用在阱层和垒层引入相反的应变，利用应变平衡结构来避免失配位错的产生，并利用实验方法对应变量和有源区厚度参数进行了优化，该技术已经申请了发...

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