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应变Si材料与CMOS关键技术研究

2011年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

项目来源于总装备部“十一五”国防预先研究项目和武器装备预研基金。
硅基应变(Si、SiGe)技术是当前提高集成电路性能的重要技术途径。本项目以我国当前军用集成电路工艺水平和与常规的Si CMOS技术兼容为基础，重点研究硅基应变技术的新原理、新概念、新方法，突破了硅基应变技术的相关基础理论、应变材料制备、适于集成的应变器件结构和仿真技术，为促进我国军用CMOS集成电路性能...

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