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硅通孔等离子体刻蚀机

2011年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
TSV（硅通孔，Through Silicon Via）刻蚀是指要穿透硅片的高速深孔刻蚀，是实现芯片三维集成的关键工艺。产业从45钠米发展到32纳米、22纳米，平面二维芯片制造已经接近物理化学极限，无论是设计还是工艺，进一步提高芯片的集成度已经变得越来越困难。为了解决这个发展瓶颈，近年来，国际芯片产业界开始出现由平面转向立体的三维芯片集成技术，旨在不增加单个芯片制造难度的前提下，通过芯片的...
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