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一种铝掺杂α相氮化硅（α-Si3N4）基材料及其制备方法

2011年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种铝掺杂α相氮化硅（α－Si↓［3］N↓［4］）基材料和进一步掺杂稀土元素铕的铝掺杂α相氮化硅（α－Si↓［3］N↓［4］）基材料，及其制备方法。本发明的铝掺杂α相氮化硅（α－Si↓［3］N↓［4］）基材料光学带宽约为2．64eV，相比于纯净氮化硅其光学带宽大大降低，使得它在半导体光电器件方面的应用成为可能；掺杂稀土元素Eu的铝掺杂α相氮化硅（α－Si↓［3］N↓［4］）基材料呈现...
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