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碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法

2011年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　一种碲镉汞（HgCdTe）红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉／硫化锌（CdTe／ZnS）复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片，放置在真空腔体内进行低能等离子体植氢处理的钝化界面优化的技术方案，有效解决了碲镉汞红外焦平面钝化界面存在过多的未饱和悬挂键、界面电荷的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、可控性好...
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