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离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法

2011年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　一种离子注入型碲镉汞（HgCdTe）红外焦平面的光电p－n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p－n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p－n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方...
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