国家科技成果网
热门搜索:  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

国家科技成果网 首页 成果 查看内容

一种双异质结MOS-HEMT器件

2011年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
一种双异质结MOS-HEMT器件,包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、InGaN嵌入层7、GaN沟道层6、AlN势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2,其特征是:采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为势垒层,降低了器件的自加热效应和栅极漏电流,降低了器件耗尽模式工作下的阈值电压;利用AlN材料强的极...
相关成果

标签云

相关机构

Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位:科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统