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广州市LED工业研究开发基地

2011年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一、简要技术说明:
1、人们通常采用下述方法提高内量子效率:
(1)GaN同质衬底。
(2)非极性和半极性外延片。
(3)图形衬底技术。
(4)横向过生长。
(5)AlN/GaN对的过渡层。
(6)有源区生长技术。
(7)新的外延片...
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