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45/40纳米去耦合反应离子刻蚀机

2011年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　等离子体刻蚀是微观加工制备芯片精细结构的关键步骤。通过一次次重复薄膜沉积和设计好的选择性刻蚀，就可以搭建出及其复杂而精细的芯片微观结构。等离子体刻蚀设备是极大规模集成电路制造的关键设备之一，在新建芯片生产线的设备投资总量中占14～16%。
　　中微具有独立自主知识产权的45/40纳米去耦合离子反应刻蚀设备，打破了国内关键芯片生产设备空白的局面。中微45/40纳米去耦合离子反应刻蚀设...
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