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中高压用BaTiO3基陶瓷介电与相变性能的研究

2011年 基础理论
  • 成果简介
技术说明：以碳酸钡、碳酸锶、二氧化锡和二氧化钛等为原料，制备了氧化镧和氧化钐共掺杂钛酸锶钡陶瓷、氧化钐掺杂锡钛酸钡陶瓷，达到改善材料性能的目的，并分析了镧、钐离子在钛酸钡基陶瓷中的掺杂机理。Sm2O3掺杂锡钛酸钡陶瓷，材料的室温介电损耗最低降至0.005，介电常数达到5560，高的介电常数可以减小电子元件的尺寸，低的介电损耗有利于电子元器件稳定工作。从相变温度变化出发，结合Sm2O3掺杂后...
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