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氮化铝晶片

2010年

应用技术

成果简介

性能：（0001）晶向，直径40-50毫米，电阻率大于109欧姆厘米。
成果介绍：III族氮化物GaN、AlN及其三元组合化合物是制造波长为190nm-350nm的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN具有高热导率（3.4W/cmK），与高Al组份的AlGaN材料和GaN材料晶格匹配等优点，是一种研制新型大功率微波器件和短波长发光器件的极为理想的衬底材料。大尺寸...

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