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高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化

2010年

应用技术

成果简介

核心技术：
碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。
主要技术经济指标
600V、1200V，20A的碳化硅功率二极管，通态压降1.5V～3V；
600V、1200V，5A以上的碳化硅晶体管，通态压降低于3V。
与国内比：碳化硅材料特...

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