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相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法

2010年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及相变存储器器件单元的结构及其制备方法，其主要特征在于采用环形相变材料作为存储信息的载体。通过采用合适的薄膜制备技术和纳米加工技术，制备出环形的相变材料，通过上下电极引出，并与开关和外围电路集成，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于环形相变材料的壁厚可以控制在很小的纳米尺度范围，相变材料的截面积可以很小，大大增加电流密度，提高相变材料有效相变区域的热效率，降低相变存储器器件单元...
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