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GaN基大功率LED芯片提高出光效率的关键技术

2010年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

本项目属于半导体器件与技术领域。
本项目通过研发外延生长技术、ITO图形化、PSS衬底、蒸镀反射金属等技术，极大的提高了LED芯片的发光效率，稳定性、可靠性和成品率，在突破100lm/W的高效大功率LED器件关键技术的同时，实现该项目的规模化生产。将对大功率LED的外延生长、芯片制作、封装管壳、器件结构、材料选取、封装工艺以及在线测试等关键技术的突破起到重大意义。产品在...

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