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一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法

2010年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法，采用刻蚀Si 基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格，首先用含1-5％的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min，然后去除表面的氧化硅薄膜，用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区，刻蚀后的Si片作沉积基板放在出气端，用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米片。这种Si基板自生模板，与常规氧化铝多孔模板...
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