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一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法

2010年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明采用脉冲激光沉积(Pulse Laser Deposition PLD)制备p型黄铜矿结构化合物CuAlS2及掺杂透明导电薄膜。本发明采用石英玻璃、普通玻璃或Si片作为衬底，固相反应与SPS烧结或固相反应与无压烧结得到的化合物块体作为靶材，在适当的气氛压强，衬底温度，激光强度与频率下，通过PLD法制备出CuAlS2或掺杂薄膜。所制备的薄膜具有p型导电性，且同时具有高的电导率与高的可见...

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