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改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法

2010年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向ZnO薄膜方法，其特征在于采用电化学预处理过程与恒电流沉积相结合的方法，在经预处理的衬底表面形成一晶柱尺寸小的ZnO籽晶层，使后续沉积ZnO薄膜具有单一c轴生长特性。具体包括电沉积前驱液的制备、衬底清洗处理以及薄膜生长三大步，最后薄膜生长采用电化学沉积系统。所制备的ZnO膜层具有单一c轴取向，结晶程度高，而且在可见光区具有很高的透过率，可用...
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