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纳米硅薄膜微压力传感器芯片

2009年

应用技术

成果简介

该项目利用纳米硅薄膜开发了微压力传感器芯片。
技术特点：在通常的绝缘体材料表面形成薄膜，把硅纳米薄膜做成各种器件，在电学性能上相互独立，形成了SOI结构，能在几百度的高温下正常工作；压敏系数比硅单晶高8倍左右。
创新内容：采用硅纳米薄膜生长技术，成本低；制成的超低微压传感器比一般的传感器耐高温，具有稳定可靠、灵敏度高、经济价值高等优点。
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