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新型微电子器件Zr-Si-N扩散阻挡层研究

2010年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　随着微电子器件尺寸的进一步缩小，由于接触孔面积的缩小使得阻挡层薄膜的电阻会变大，从而增加总的器件串联电阻。因此，阻挡层在保持铜金属化体系稳定性的同时要尽可能地薄。同时，阻挡层要有一定的厚度，这就要求阻挡层要有良好的低应力、无针孔等特点。申请者提出ZrSiN作为Cu金属化的扩散阻挡层。对阻挡层结构性质、界面行为及失效机理等关键问题进行深入研究具有重要的基础研究价值。同时，研究成果可望为微电子器件...
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