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用于薄膜转移的硅深刻技术研究

2010年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本项目对研究硅快速深刻蚀技术做了大量研究,包括不同刻蚀工艺参数对硅刻蚀速率的影响;不同工艺参数对掩蔽层材料刻蚀速率的影响;掩蔽层材料对硅的刻蚀选择比;SF6和O2 、SF6和CHF3 以及SF6和C4F8对硅进行交替刻蚀过程及工艺改进。通过大量的工艺实验研究,实现了使用国产手动设备进行硅基高深宽比微细结构,其特征在于:硅基高深宽比结构深达460μm以上,可以将硅基片刻穿,形成通孔;该结构上...
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