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Si基光电子集成芯片与技术

2009年

应用技术

成果简介

本成果包含有三项关键性Si基集成光电子器件，即MMI可调谐光强衰减器（VOA），SOI热光（TO）亚微秒光开关及4×4集成芯片和异质健合Si基可调谐窄带响应共振腔增强型探测器（RCE-PD），其主要指标分别为动态调节范围＞21dB，工作波长1525-1565nm，开关时间2-8μs，插入损耗＜8dB，响应度0.5A/W，响应半宽＜1.0nm，工作波长1300-1650nm。质键合Si基可调...

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