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0.18umCMOS工艺10Gb/s单片集成数据再生电路

2009年

应用技术

成果简介

0.18umCMOS工艺10Gb/s单片集成数据再生电路利用0.18umCMOS工艺实现10Gb/s光接收机单片集成电路芯片，包括限幅放大器、时钟恢复电路和数据判决电路。当工作在10.7Gb/s附近时，50Ω负载上的单端输出峰-峰值可达400mV，直流功耗660mW。本成果利用0.18?mCMOS工艺将应用于10Gb/s光接收机的限幅放大器、时钟恢复、数据判决单片集成，实现了从高速数据信号...

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