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新型功率肖特基器件势垒工艺研究

2009年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　新型功率肖特基器件（SBD）产品的核心工艺技术有：
　　1）利用鉬金属硅化物－硅接触势垒代替旧的金属－硅接触势垒，提高了器件的高温性能、正向特性、反向耐压与抗浪涌冲击能力。
　　2）采用通H2的退火工艺形成金属硅化物。
　　3）采用保护环结构，增大了边缘耗尽层的曲率半径，从而大大减弱了电场，使器件的反向特性明显获得改善。
　　4）多层金属化形成及...
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