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90/65纳米去耦合反应离子刻蚀机

2009年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
中微公司具有独立自主知识产权的等离子体刻蚀设备Primo D-RIE,可用于12英寸,90纳米(可延伸至65纳米)高端工艺的芯片制造生产。
Primo D-RIE等离子体刻蚀设备采用了最新的技术和独特的反应室设计,使用多反应室、双反应台/室系统,具有单晶片独立加工环境。独特的小批量多反应器系统,使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上,加工每片芯片的成本平均节省35%...
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