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2CC2109型硅调谐变容二极管

2001年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
1、课题来源及背景:2CC2109型硅调谐变容二极管是我公司根据国内市场的需求自行开发试制的品件,采用TO-92封装。
2、技术原理及性能指标:该器件是利用PN结耗尽层宽度随电压变化而变化所形成的电容C随电压V变化而变化的C-V特性制作的。
3、技术的创造性与先进性:
在版图的设计过程中,充分考虑了有源区面积与材料电阻率对电容的影...
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