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利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜

2009年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法，以co为磁性掺杂源，以al为施主掺杂源制备（co，al）共掺杂的zno薄膜。制备过程采用zn↓［1－x－y］co↓［x］al↓［y］o（0＜x≤0．15，0＜y≤0．03）靶材，co的掺杂浓度可以通过调节靶材中的co含量控制，薄膜中的载流子浓度和氧缺陷可以通过调节靶材中的al含量和高纯o↓［2］和ar不同分压比来控制。采用icp－pvd法可以...

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