首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种锑化钴基热电器件的制造方法

2009年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种锑化钴基热电器件的制造方法，其特征在于首先用sps方法制备出单对或多对p－n的热电块体翻转90°，通过在热电块体上等离子喷涂一扩散阻挡薄层，可有效的阻挡热电半导体器件组成多个元素的扩散，同时扩散阻挡层的使用将使热电半导体与金属电极之间的连接转化为金属与金属的连接过程，使得器件的焊接更加简便。采用的近共晶的ag－cu焊片不仅单单能够满足锑化钴基热电器件高温端500－600℃的温...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统