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背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺

2009年

应用技术

中期阶段

成果简介

本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在 p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP外延片上刻蚀形成p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs微台面， InGaAs吸收层厚度设计为1.1um至1.5um，掺杂浓度为3-5×1016cm-3，硫化 +SiNx钝化膜并引入退火工艺，可达到有效减小表面和侧面的复合，降低界面态密度，提高器件探测率和均匀性的...

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