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InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片

2009年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：在 p-InP/InGaAs/n-InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p-InP微台面。在p-InP 微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区，在线列或面阵微台面边上有一刻蚀至n-InP层并置于n-InP层上的公共N电极区。除P、N电极区外，整个外延片上，包括侧面覆盖有氮化硅钝化层。在P电极区上置有与读出电路互...

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