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用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法

2009年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的方法来制作纳电子相变存储器的方法。本发明的特点在于利用相变材料与上电极材料的抛光工艺形成小孔填充结构：（1）在清洗干净的衬底材料上热氧化一层氧化层；（2）沉积过渡层材料与下电极薄膜材料；（3）沉积过渡层材料与介质绝缘绝热层材料；（4）通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；（5）沉积相变材料，填满纳米孔；（6）对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和...
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