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氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法

2009年

应用技术

中期阶段

成果简介

本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，通过在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构，释放继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法适合于科学实验和批量生产时采用，AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备的。在高质量GaN材料和高失配GaN外延生长中具有广泛应用。...

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