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一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法

2009年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，通过将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，改善了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物，使表面的氮空位得到了补充，相当于在去除受损表面时重新生长了一个薄层的氮化物外延层，从而使受损GaN基材料的电学和光学特性得到回升。本技术可以用于氮化镓基器件的制备等工艺。...
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