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铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法

2009年

应用技术

中期阶段

成果简介

本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar+离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层侧面损伤。并通过硫化处理，去掉表面氧化层，覆盖新的ZnS/聚酰亚胺双层钝化膜。ZnS层有效地起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流，较厚聚酰亚胺...

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