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可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法

2009年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，该方法是通过低温原位磁控溅射生长，然后，进行高压低温处理而实现的。本发明方法的最大优点是：在400℃的低温下，可以得到高度(100)取向的纯钙钛矿相PZT薄膜，并具有很好的铁电性；重复性好，整个制备和处理温度在450℃以下，能直接沉积在读出电路上，和铁电微器件的单片集成工艺相兼容。...
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