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铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法

2009年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法，本发明的非极性a面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性Ⅲ族氮化物器件的制备。...
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