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快速热处理对大直径硅片空洞型微缺陷及内吸除效应的影响

2009年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　项目名称：
　　快速热处理对大直径硅片空洞型微缺陷及内吸除效应的影响。
　　任务来源：河北省教育厅。
　　随着集成电路的集成度不断提高，其特征线宽逐步减小。硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，对ULSI用硅片质量提出了越来越严格的要求。提高栅氧化层的完整性（GOI），消除硅片中的空洞型缺陷，是改进器件性能和提高器件质量的必要途径，同时也是亟待解决的问题。...

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