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GaN基材料RF等离子体MBE生长

2001年

应用技术

初期阶段

成果简介

本课题为863计划项目“GaN基Ⅲ-V族氮化物生长与高温微电子器件研究”的子课题。通过研究建立了射频等离子体分子束外延系统及辅助系统。在白宝石、SiC、HVPE GaN/Al2O3三种衬底上生长出具有光学特性、结构特性、电学特性的GaN、AlGaN（XAL0-0.25）材料。研制了AlGaN/GaN/Al2O3、GaN/AlGaN/4H-SiC HEMT和二维电子气结构材料，进行了GaN器...

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