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提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法

2009年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法，其步骤如下：(1) 硅片抛光清洗后进行背封，即浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成洁净氧化层；(2)外延前提高赶气温度80-120℃，迅速改变气体流速，反复变化4-12个周期，使滞留层内的杂质浓度降低3-6个数量级；(3)变速赶气后，立即降温至生长温度，生长本征层，将石墨基座衬底正、侧面和与石墨接触边缘全部封闭；(4)再进行3-6个周期变温赶...
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