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碳化硅(SiC)晶体产业化

2004年 应用技术
  • 成果简介
碳化硅(SiC)是继第一代半导体材料硅和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)后发展起来的第三代半导体材料。由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度等特点,使得它在军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用优势。碳化硅晶体作为各种电子元器件的基片,国际市场上直径为2英寸(半径25mm-0.3mm)的SiC晶体基片价格为500-800美元/片。根据一份国...
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