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一种铜膜的制备方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
内容简介：以晶粒尺寸小于100nm的纳米Cu为原材料，纯度高于9.995％wt％，密度为8.91±.03g/cm^3， 在室温冷轧，变形速率：1×10^(-5)-1×10^(-1)/s。该发明制备出的铜膜表面质量好，可以达到很薄膜的厚度，并且工艺简单，使用普通的轧制设备即可实现。申请国家专利二项，其中发明专利一项，实用型专利一项。...
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