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应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜

2004年 应用技术
  • 成果简介
该成果利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后，再冷压成型为圆片，然后烧结6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中引入氮气，使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6％，氮原子的结合能是404.1eV，高氧化态，进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行得到的高介电栅电介质材料研究的较高水平，同时也可满足功耗要求不高的半导体中场效管的实际应用要求。...
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