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空穴导电碲镉汞外延材料处理工艺及装置

2001年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，包括碲镉汞分子束外延工艺、在碲镉汞分子束外延材料上生长一层CdTe覆盖层工艺和热处理工艺，其特征在于：
1. 带有CdTe覆盖层的碲镉汞样品直接在分子束外延的生长室中进行真空热处理，或者将该硝铺京样品置于真空封闭的石英安瓿中进行热处理：
2. 热处理温度在200℃到320℃范围内，通过改变热处理温度将碲镉汞外延...
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