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纳米晶氮化物嵌镶薄膜和GaN系材料匹配衬底及外延生长

2001年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
通过对发热体的设计以便形成适合Al_2O_3、LiAlO_2和LiGaO_2晶体生长所需要的温度梯度,将籽晶至于坩埚底部,待熔体温度稳定后,缓慢降温晶体生长从籽晶部位自下向上进行。用脉冲激光烧蚀分别和电子回旋共振微波放电,快脉冲放电结合起来,使放电产生的等离子体活性氮与激光烧蚀产物发生反应,形成氮化物。
蓝宝石晶体尺寸Ф110×80mm^3,位错密度D为2-5×10^3...
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