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高功率半导体激光器（LD）阵列研制

2001年

应用技术

中期阶段

成果简介

1.任务来源：
吉林省科技发展计划项目：高功率半导体激光器（LD）阵列研制
项目编号：吉科合字第200001.01号
2.简要技术说明：
本成果首次成功地将肖特基势垒接触电流限制技术应用于无铝激光器列阵器件的结构研制中，首次研制出准连续输出功率80瓦808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs双异质结分别限制单量子阱高功...

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