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低位错密度砷化镓单晶材料制备

2008年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
1.进行“精确温度场控制梯度凝固法”低位错密度砷化镓单晶材料生长关键技术的研发，提交了技术研究报告；
2.完成了“精确温度场控制梯度凝固法”低位错大直径砷化镓单晶材料生长工艺技术的研发工作，提出并实现了“高温常压合成技术”、“高温常压晶体生长技术”、“砷蒸气精确控制技术”的产业化生产，该项工艺技术具高精度温度控制、砷蒸气压控制精确等特点，采用该技术可生产出位错密度≤5×...
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