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硅基外延氮化镓失配问题的研究

2008年

基础理论

成果简介

项目名称：硅基衬底外延氮化镓失配问题研究（E200500042）。
任务来源：河北省自然科学基金。
GaN是继Si、GaAs之后的第三代重要的半导体材料，它的禁带宽度宽，电子迁移率高，高的击穿电压、耐高温、耐化学腐蚀等优良特性，在光电子材料方面有极好的应用前景，在高频大功率电子器件方面也极具潜力，并有望成为在高温辐射等恶劣环境下工作的半导体材料。 <...

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